職位描述
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崗位職責:
1,存儲器器件電性分析,優(yōu)化器件可靠性
2,3D NAND存儲器件技術(shù)研發(fā)
崗位要求:
1,學歷:碩士及以上
2,專業(yè):微電子,電子科學與技術(shù),材料科學與技術(shù)等相關(guān)專業(yè)
3,工作年限:1年以上半導體工藝或器件相關(guān)工作經(jīng)驗
4,掌握半導體工藝,半導體物理,半導體器件物理
5,具備NAND flash, NOR flash,CMOS等器件研發(fā)工作經(jīng)驗者優(yōu)先
6,測試和分析問題能力:能夠分析和解決器件研發(fā)過程可能遇到的問題,包括下列測試經(jīng)驗其中之一者優(yōu)先。
7,WAT 測試
8,存儲器陣列測試
9,半導體參數(shù)分析儀測試,例如Keithley 4200,Keysight B1500等
10,數(shù)據(jù)處理能力:具備 Python,JMP,Excel 宏 等數(shù)據(jù)處理經(jīng)驗者優(yōu)先。
11,積極主動,工作嚴謹,責任心強
工作地點
地址:武漢洪山區(qū)武漢-洪山區(qū)長江存儲科技有限責任公司
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職位發(fā)布者
HR
長江存儲科技有限責任公司
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電子技術(shù)·半導體·集成電路
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1000人以上
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公司性質(zhì)未知
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東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
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應(yīng)屆畢業(yè)生
碩士
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